活性金属钎焊氮化硅陶瓷覆铜板

AMB(Active Metal Brazing,活性金属钎焊)工艺利用钎焊料中含有的少量活性元素(例如,钛Ti)与陶瓷反应生成能被液态钎焊料润湿的反应层,从而实现陶瓷与金属结合的一种方法。

AMB-Si3N4陶瓷覆铜电路板,具有高导热、高绝缘、高热容以及与芯片匹配的热膨胀系数等特性,是功率半导体行业不可缺少的封装材料。


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产品优势

  • ●  可定制化,根据客户要求匹配不同的陶瓷厚度,Cu层厚度以及表面处理方式

    ●  热导率在 25°C 温度条件≥ 80 W/m*K

    ●  在 40°C - 400°C 温度范围下,CTE 为 2.5~3.1 ppm/K

    ●  抗弯强度≥700MPa,具有更高的可靠性,适用于严苛的工况

    ●  可以钎焊0.8mm 以上的铜层,载流大,降低热阻

    ●  通过选择性镀Ag表面处理,配套烧结Ag 工艺,完美适配SiC芯片

产品应用

  • ●  光伏风电

    ●  电动汽车

    ●  高端白色家电

  • ●  电网输配电

    ●  牵引系统


技术参数

  • TCQ-WF-RD-01 产品规格书(AMB)
    TCQ-WF-RD-01 产品规格书(AMB)

    文件类型:pdf

    文件大小:360 KB

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